MOS VLSI电信电路设计

5 (p0-1): 第一部分 制造工艺和器件建模
5 (p0-2): 引言…………………………………………………（ 1 ）第一章 MOS电信集成电路制造工艺E·德莫林1．引言
5 (p0-3): 目录
13 (p0-4): 2．NMOS基本工艺………………………………（ 8 ）3．基本工艺
21 (p0-5): 4．电信CMOS
31 (p0-6): 5．高压工艺
32 (p0-7): 6．按比例缩小电信电路工艺
34 (p0-8): 7．结论
34 (p0-9): 参考文献
39 (p0-10): 1．引言
39 (p0-11): 2．增强型器件电流模型
39 (p0-12): F．M．克拉森
39 (p0-13): 第二章 MOS器件的建模
48 (p0-14): 3．电荷模型
49 (p0-15): 4．小信号模型
51 (p0-16): 5．耗尽型器件模型
54 (p0-17): 6．参量确定和与测量值比较
58 (p0-18): 参考文献
61 (p0-19): 第二部分 电路积木块
61 (p0-20): 引言
65 (p0-21): 1．引言
65 (p0-22): 第三章 CMOS运算放大器
65 (p0-23): B．J．霍斯蒂卡
68 (p0-24): 2．MOS场效应管小信号特性 …………………（66 ）3．基本的模拟CMOS电路
76 (p0-25): 4．运算放大器
80 (p0-26): 5．电源抑制比
81 (p0-27): 6．噪声特性
90 (p0-28): 7．转换速率
90 (p0-29): 8．输出级
92 (p0-30): 9．差分输出放大器
92 (p0-31): 10．设计举例
97 (p0-32): 11．结论
98 (p0-33): 参考文献
103 (p0-34): 第四章 微功耗技术
103 (p0-35): E．A．维托茨
103 (p0-36): 1．引言
104 (p0-37): 2．工艺
105 (p0-38): 3．器件
115 (p0-39): 4．基本电路技术
127 (p0-40): 5．积木块举例
140 (p0-41): 6．结论
141 (p0-42): 参考文献
147 (p0-43): E．A．维托茨
147 (p0-44): 1．引言
147 (p0-45): 2．抽样和保持
147 (p0-46): 第五章 动态模拟技术
156 (p0-47): 3．动态比较器
160 (p0-48): 4．运算放大器的失调补偿
167 (p0-49): 5．CMOS反相器—放大器的动态偏置
170 (p0-50): 6．结论
170 (p0-51): 参考文献
175 (p0-52): 1．引言
175 (p0-53): 第六章 NMOS运算放大器
175 (p0-54): D．森德罗威兹
176 (p0-55): 2．应用
178 (p0-56): 3．一般要求
183 (p0-57): 4．MOS建模
186 (p0-58): 5．NMOS工艺评论
187 (p0-59): 6．基本的NMOS放大器
192 (p0-60): 7．通用运放的设计
208 (p0-61): 8．专用运放设计
211 (p0-62): 9．结论
212 (p0-63): 参考文献
217 (p0-64): P．R．格雷 D．A．霍杰斯
217 (p0-65): 1．引言
217 (p0-66): 2．A/D变换器在电信系统中的作用
217 (p0-67): 第七章 电信用的模数变换技术
219 (p0-68): 3．逐次近似数据变换器
227 (p0-69): 4．算法模数和数模变换器
229 (p0-70): 5．过抽样编码器
233 (p0-71): 6．模数变换器中变换速率和精确度的限制
242 (p0-72): 参考文献
245 (p0-73): 1．引言
245 (p0-74): 第八章 MOS数字滤波器的设计
245 (p0-75): W．乌尔布里希
246 (p0-76): 2．基本考虑
263 (p0-77): 3．有专用信号通道的数字滤波器
272 (p0-78): 4．用于数字滤波器的定制信号处理器
277 (p0-79): 5．结论
278 (p0-80): 参考文献
283 (p0-81): 第九章 开关电容滤波器综合
283 (p0-82): A．S．塞德拉
283 (p0-83): 1．引言
284 (p0-84): 2．一阶积木块
294 (p0-85): 3．双二阶节
300 (p0-86): 4．梯形滤波器
306 (p0-87): 5．精确的设计方法
321 (p0-88): 6．结论要点
321 (p0-89): 参考文献
327…